BTS3410G是集智能SIPMOS技術(shù)制造而成的N溝道垂直功率場效應晶體管FET，低壓側(cè)、2路輸出、輸入電壓10V、電流極限7.5A、封裝類型SOIC-8，來自國際品牌英飛凌（Infineon）。關(guān)于BTS3410G這個料，每天都有許多新老客戶向東沃電子DOWO詢價、現(xiàn)貨、交期等方面的問題。東沃電子自創(chuàng)辦以來，秉承“一切以客戶為中心”的經(jīng)營理念，用心服務好每一位客戶，滿足客戶的不同需求。為此，為客戶配套成為了東沃電子的日常。由于渠道優(yōu)勢，東沃電子能夠第一時間調(diào)到貨、交期迅速、原裝正品、價格美麗、現(xiàn)貨庫存，竭誠歡迎廣大客戶前來詢BTS3410G場效應晶體管。

接下來重點詳述BTS3410G場效應晶體管FET的特性、參數(shù)、應用，帶您走進BTS3410G的“世界”！

BTS3410G場效應管特性

邏輯電平輸入
自動重啟熱開關(guān)
符合ROHS標準
過載、短路、過電壓、ESD保護
電流限制
模擬驅(qū)動

BTS3410G場效應管參數(shù)

Drain source voltage漏源電壓：42V
on-state resistance導通狀態(tài)電阻：200mΩ 
Nominal load current額定負載電流：1.3A
Clamping energy鉗位能量：150mJ
Automobile quality standard汽車質(zhì)量標準：AEC-Q100
Power dissipation功耗：0.8W

BTS3410G場效應管應用

適用于開關(guān)或線性應用中的各種阻性、感性和容性負載；
μC兼容電源開關(guān)，適用于12V DC應用；
取代機電繼電器和分立電路

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